Name: Моделирование основных & (en Ruso)
Price: 603.70 MXN
Availability: InStock
Author: Де, Сва
ISBN: 9786206331223

Envío gratis

portada Моделирование основных & (en Ruso)

Formato

Libro Físico

Autor

Сва&#1 Де

Editorial

Sciencia Scripts

Idioma

Ruso

N° páginas

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

22.9 x 15.2 x 0.4 cm

Peso

0.10 kg.

ISBN13

9786206331223

Categorías

Ingeniería electrónica

Моделирование основных & (en Ruso)

Сва&#1 Де (Autor) · Sciencia Scripts · Tapa Blanda

Libro Nuevo

$ 603.70

$ 1,006.16

Ahorras: $ 402.47

40% descuento

Envío normal

Origen: Estados Unidos (Costos de importación incluídos en el precio)

Se enviará desde nuestra bodega entre el Lunes 29 de Julio y el Martes 06 de Agosto.

Lo recibirás en cualquier lugar de México entre 1 y 3 días hábiles luego del envío.

Reseña del libro "Моделирование основных & (en Ruso)"

В этой книге методы каналообразования и затворного инжиниринга объединены для формирования новых структур приборов, предложенных в качестве МОП-транзисторов с одногалоидным двойным материальным затвором (SHDMG) и двухгалоидным двойным материальным затвором (DHDMG). Современные МОП-транзисторы неравномерно легированы в результате сложного технологического процесса. Поэтому одним из ключевых факторов для точного моделирования характеристических параметров является моделирование неравномерного профиля легирования. В книге также представлены аналитические модели подпорогового поверхностного потенциала, порогового напряжения, тока стока и транскондуктивности на основе теории дрейфа-диффузии для n-МОП-транзисторов с линейным и гауссовым профилем на основе SHDMG и DHDMG, работающих в режиме до 40 нм. Также предложена аналитическая модель подпорогового тока стока на основе квазиферми-потенциала для линейного, а также гауссового профилей SHDMG и DHDMG МОП-транзисторов, учитывающая фрингинговые &#