Name: Dielektrische Hoch-K-MOSFETs treiben die technologische Entwicklung voran (en Alemán)
Price: 1461.37 MXN
Availability: InStock
Author: Puja, Acharya
ISBN: 9786207053490

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portada Dielektrische Hoch-K-MOSFETs treiben die technologische Entwicklung voran (en Alemán)

Formato

Libro Físico

Autor

Acharya Puja

Editorial

Verlag Unser Wissen

Idioma

Alemán

N° páginas

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

22.9 x 15.2 x 0.5 cm

Peso

0.12 kg.

ISBN13

9786207053490

Categorías

Ingeniería electrónica

Dielektrische Hoch-K-MOSFETs treiben die technologische Entwicklung voran (en Alemán)

Acharya Puja (Autor) · Verlag Unser Wissen · Tapa Blanda

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Reseña del libro "Dielektrische Hoch-K-MOSFETs treiben die technologische Entwicklung voran (en Alemán)"

Die Fortschritte in der High-k-Fertigungstechnologie haben enorme Fortschritte in der Mikroelektronikindustrie ermöglicht, indem sie sowohl die Leistung einzelner Transistoren verbessert als auch die Integration von mehr Transistoren auf einem Chip ermöglicht haben. In den kommenden Jahren könnte MOS mit High-k die Szenarien für die Herstellung kleiner Transistoren verändern. Daher sollten die Studien zu diesem Bauelement mit intensiven Experimenten fortgesetzt werden. Die Auswirkungen des High-k-Dielektrikums (TiO2) werden auch bei NMOS-Transistoren beobachtet. Es wurde festgestellt, dass der Leckstrom unter der Schwelle mit zunehmender Schwellenspannung abnimmt; dies reduziert den Stromverbrauch und verbessert somit die Leistung des NMOS-Transistors. Durch die Verringerung des Gate-Leckstroms und des Sub-Threshold-Swing ist die High-k-NMOS-Struktur eine gute Alternative für zukünftige Nanoscale-MOS-Bauelemente. Aus der Analyse lässt sich auch schlie en, dass die Schwellenspannung mit der Verkleinerung der Bauelemente sinkt.