Name: Etude des propriétés optoélectroniques des PQs GaAsNBi/GaAs dopés n (en Francés)
Price: 1875.71 MXN
Availability: InStock
Author: Bilel, Chakroun ; Rebey, Ahmed
ISBN: 9786203430974

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portada Etude des propriétés optoélectroniques des PQs GaAsNBi/GaAs dopés n (en Francés)

Formato

Libro Físico

Autor

Chakroun Bilel

Ahmed Rebey

Editorial

Editions Universitaires Europeennes

Idioma

Francés

N° páginas

164

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

22.9 x 15.2 x 1.0 cm

Peso

0.25 kg.

ISBN13

9786203430974

Categorías

Física

Etude des propriétés optoélectroniques des PQs GaAsNBi/GaAs dopés n (en Francés)

Chakroun Bilel (Autor) · Ahmed Rebey (Autor) · Editions Universitaires Europeennes · Tapa Blanda

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Reseña del libro "Etude des propriétés optoélectroniques des PQs GaAsNBi/GaAs dopés n (en Francés)"

Les matériaux à haut désaccord d'électronégativité HMAs (High Mismatched Alloys), tels que III-V-N-Bi, présentent des propriétés électriques et optiques adaptées à la réalisation des dispositifs optoélectroniques. Les quaternaires GaNAsBi dévoilent une bonne stabilité thermique de ces propriétés physiques lors de fonctionnement à température variable. Actuellement, le développement technologique de techniques d'élaboration, telles que l'EJM et l'EPVOM, permet d'atteindre des compositions autour de 10% en Bi et ouvre la voie devant l'épitaxie d'une nouvelle génération des hétérostructures quantiques à base de GaAsBi, GaAsN et GaNAsBi. Malgré la nature intrinsèque de ces structures quantiques, les études menées à présent montrent qu'elles peuvent être des candidates potentielles dans la fabrication des photodétecteurs ou émetteurs thermiquement stables et opérants dans les longueurs d'ondes 1,3 et 1,55 m destinées aux télécommunications optiques. Par comparaison aux travaux réalisés sur les matériaux III-V, il est vital que les choix du taux de dopage ainsi que la zone à doper dans une structure conçue pour une application donnée soient parmi les facteurs à optimiser.