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Progettazione di SRAM a bassa dispersione (en Italiano)
Rahul Kumar Verma
(Autor)
·
Rajan Prasad Tripathi
(Autor)
·
Edizioni Sapienza
· Tapa Blanda
Progettazione di SRAM a bassa dispersione (en Italiano) - Tripathi, Rajan Prasad ; Verma, Rahul Kumar
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Reseña del libro "Progettazione di SRAM a bassa dispersione (en Italiano)"
La maggior parte delle ricerche sul consumo di potenza dei circuiti si è concentrata sulla potenza di commutazione e la potenza dissipata dalla corrente di dispersione è stata un'area relativamente minore. Tuttavia, nell'attuale processo VLSI, la corrente sotto-soglia diventa uno dei fattori principali del consumo di energia, soprattutto nelle memorie di fascia alta. Per ridurre la potenza di dispersione nelle SRAM, è possibile applicare il metodo del power gating, la cui tecnica principale è l'utilizzo di transistor sleep per controllare la corrente sotto-soglia. In questo progetto si adottano tensioni di soglia doppie; le normali celle SRAM hanno tensioni di soglia inferiori e le tensioni di soglia superiori controllano i transistor di sleep. La dimensione dei transistor di sleep può essere scelta in base alla corrente del caso peggiore e sono applicati a ogni blocco.
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El libro está escrito en Italiano.
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