Compartir
Проектирование SRAM с низки (en Ruso)
 Верма
(Autor)
·
Трипаm
(Autor)
·
Sciencia Scripts
· Tapa Blanda
Проектирование SRAM с низки (en Ruso) - Трипаm ; Верма, 
$ 630.35
$ 1,050.58
Ahorras: $ 420.23
Elige la lista en la que quieres agregar tu producto o crea una nueva lista
✓ Producto agregado correctamente a la lista de deseos.
Ir a Mis Listas
Origen: Estados Unidos
(Costos de importación incluídos en el precio)
Se enviará desde nuestra bodega entre el
Lunes 22 de Julio y el
Martes 30 de Julio.
Lo recibirás en cualquier lugar de México entre 1 y 3 días hábiles luego del envío.
Reseña del libro "Проектирование SRAM с низки (en Ruso)"
Большинство исследований по энергопотреблению схем было сосредоточено на мощности переключения, а мощность, рассеиваемая током утечки, была относительно незначительной областью. Однако в современных технологиях СБИС подпороговый ток становится одним из основных факторов энергопотребления, особенно в памяти высокого класса. Для снижения мощности утечки в SRAM можно применить метод ограничения мощности, а основной техникой ограничения мощности является использование спящих транзисторов для управления подпороговым током. В данном проекте используется двойное пороговое напряжение; обычные ячейки SRAM имеют более низкое пороговое напряжение, а более высокое пороговое напряжение управляет спящими транзисторами. Размер спящих транзисторов может быть выбран по току наихудшего случая и применяется к каждому блоку.
- 0% (0)
- 0% (0)
- 0% (0)
- 0% (0)
- 0% (0)
Todos los libros de nuestro catálogo son Originales.
El libro está escrito en Ruso.
La encuadernación de esta edición es Tapa Blanda.
✓ Producto agregado correctamente al carro, Ir a Pagar.
