Compartir
Termodynamiczna analiza procesów wzrostu warstwy epitaksjalnej (en Polaco)
Rahman Bakhyshov
(Autor)
·
Wydawnictwo Nasza Wiedza
· Tapa Blanda
Termodynamiczna analiza procesów wzrostu warstwy epitaksjalnej (en Polaco) - Bakhyshov, Rahman
$ 836.46
$ 1,394.10
Ahorras: $ 557.64
Elige la lista en la que quieres agregar tu producto o crea una nueva lista
✓ Producto agregado correctamente a la lista de deseos.
Ir a Mis Listas
Origen: Estados Unidos
(Costos de importación incluídos en el precio)
Se enviará desde nuestra bodega entre el
Viernes 19 de Julio y el
Lunes 29 de Julio.
Lo recibirás en cualquier lugar de México entre 1 y 3 días hábiles luego del envío.
Reseña del libro "Termodynamiczna analiza procesów wzrostu warstwy epitaksjalnej (en Polaco)"
Niniejsza praca jest poświęcona analizie termodynamicznej procesów fizykochemicznych wzrostu warstw epitaksjalnych związku pólprzewodnikowego Ga2Se3 z fazy gazowej w ukladzie przeplywowym Ga - Se - Cl - H oraz modelowaniu procesów technologicznych w celu prognozowania możliwych wariantów technologicznych i określenia optymalnych warunków syntezy tego związku. Podano wyniki badań nad definiowaniem i obliczaniem parametrów termodynamicznych poszczególnych substancji systemu Ga - Se - Cl - H, do wykorzystania przy termodynamicznym modelowaniu procesów wzrostu warstw epitaksjalnych Ga2Se3 z fazy gazowej. Zbadano związek pomiędzy zmiennymi termodynamicznymi a parametrami technologicznymi procesu syntezy Ga2Se3 w reaktorze typu otwartego z oddzielnymi źródlami galu i selenu. Zilustrowano schemat obliczenia parametrów technologicznych procesu narastania warstw epitaksjalnych Ga2Se3 w ukladzie transportu gazu przeplywowego z wydzielonymi źródlami galu i selenu.
- 0% (0)
- 0% (0)
- 0% (0)
- 0% (0)
- 0% (0)
Todos los libros de nuestro catálogo son Originales.
El libro está escrito en Polaco .
La encuadernación de esta edición es Tapa Blanda.
✓ Producto agregado correctamente al carro, Ir a Pagar.
